Часть 26: Высокоскоростные модули OCZ серий Titanium и SLI-Ready (PC2-6400, PC2-7200 и PC2-8000)
Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 с помощью универсального тестового пакета . Сегодня мы рассмотрим высокоскоростные предложения от компании OCZ - три двухканальных 2-ГБ комплекта модулей памяти серий Titanium и SLI-Ready скоростных категорий PC2-6400, PC2-7200 и PC2-8000:
- OCZ DDR2 PC2-6400 Titanium EPP-Ready (OCZ2T8002GK, DDR2-800 4-4-4-1T)
- OCZ DDR2 PC2-7200 SLI-Ready Edition (OCZ2N900SR2GK, DDR2-900 4-4-3-2T)
- OCZ DDR2 PC2-8000 Titanium Alpha VX2 (OCZ2TA1000VX22GK, DDR2-1000 4-4-4-2T)
Производитель модуля: OCZ Technology
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: Внешний вид модулей
OCZ DDR2 PC2-6400
OCZ DDR2 PC2-7200
OCZ DDR2 PC2-8000
Part Number модулей
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 на сайте производителя отсутствует (в ходе его изучения было обнаружено лишь устаревшее руководство, посвященное модулям памяти типа DDR). Поэтому ограничимся лишь кратким описанием модулей, представленным на страницах соответствующих продуктов.
OCZ DDR2 PC2-6400
Модули поддерживают стандарт EPP, что позволяет достичь оптимальной производительности модулей на материнских платах с чипсетами NVIDIA nForce 590 SLI. Содержимое EPP запрограммировано на режим DDR2-800 с достаточно низкими таймингами 4-4-4-1T, т.е. модули способны функционировать при задержках командного интерфейса 1T (1 команда/1 такт), что значительно увеличивает производительность подсистемы памяти. Модули оснащены теплоотводами XTC (Xtreme Thermal Convection) с титановым покрытием, обеспечивающими эффективный отвод тепла.
OCZ DDR2 PC2-7200
Модули также поддерживают стандарт EPP, при этом содержимое данной части микросхемы SPD запрограммировано на режим DDR2-900 со схемой таймингов 4-4-3. Как утверждает производитель, данные модули оснащены эксклюзивной системой теплоотведения NVIDIA XTC (с точки зрения, как эффективности, так и внешнего вида, «соответствующего» уровню производительности модулей).
OCZ DDR2 PC2-8000
В отличие от первых двух представителей, поддержка стандарта EPP в модулях отсутствует. Модули принадлежат особому семейству модулей Voltage Xtreme, рассчитанных на работу при высоком питающем напряжении (что позволяет достичь скоростей, недоступных при обычном уровне напряжения). Данная модель рассчитана на режим DDR2-1000 при задержках 4-4-4, что достигается за счет поднятия питающего напряжения до 2.3В и позиционируется как high-end решение для экстремальных геймеров и оверклокеров. Теплоотвод модулей XTC с применением титанового покрытия, устойчивого к царапинам, также является эксклюзивным решением, на сей раз - по своей цветовой гамме (см. фото). Каждый модуль Titanium Alpha имеет уникальную цветовую гамму и изменяет свой оттенок цвета в зависимости от освещения и угла обзора.Данные микросхемы SPD модулей
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
Описание стандарта EPP:
OCZ DDR2 PC2-6400
| Параметр | Байт | Значение | Расшифровка |
|---|---|---|---|
| Фундаментальный тип памяти | 2 | 08h | DDR2 SDRAM |
| 3 | 0Eh | 14 (RA0-RA13) | |
| 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) | |
| 5 | 61h | 2 физических банка | |
| 6 | 40h | 64 бит | |
| Уровень питающего напряжения | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
| 9 | 25h | 2.50 нс (400.0 МГц) | |
| Тип конфигурации модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
| 12 | 82h | ||
| 13 | 08h | x8 | |
| 14 | 00h | Не определено | |
| 16 | 0Ch | BL = 4, 8 | |
| 17 | 04h | 4 | |
| 18 | 38h | CL = 5, 4, 3 | |
| 23 | 30h | 3.00 нс (333.3 МГц) | |
| 25 | 37h | 3.70 нс (270.3 МГц) | |
| 27 | 32h | 12.5 нс 5.00, CL = 5 4.17, CL = 4 3.37, CL = 3 |
|
| 28 | 28h | 10.0 нс 4.00, CL = 5 3.33, CL = 4 2.70, CL = 3 |
|
| 29 | 32h | 12.5 нс 5.00, CL = 5 4.17, CL = 4 3.37, CL = 3 |
|
| 30 | 25h | 37.0 нс 14.80, CL = 5 12.33, CL = 4 10.00, CL = 3 |
|
| 31 | 80h | 512 МБ | |
| 36 | 3Ch | 15.0 нс 6.00, CL = 5 5.00, CL = 4 4.05, CL = 3 |
|
| 37 | 1Eh | 7.5 нс 3.00, CL = 5 2.50, CL = 4 2.02, CL = 3 |
|
| 38 | 1Eh | 7.5 нс 3.00, CL = 5 2.50, CL = 4 2.02, CL = 3 |
|
| 41, 40 | 37h, 00h | 55.0 нс 22.00, CL = 5 18.33, CL = 4 14.86, CL = 3 |
|
| 42, 40 | 69h, 00h | 105.0 нс 42.00, CL = 5 35.00, CL = 4 28.38, CL = 3 |
|
| 43 | 80h | 8.0 нс | |
| Номер ревизии SPD | 62 | 23h | Ревизия 2.3(?) |
| Контрольная сумма байт 0-62 | 63 | BFh | 191 (верно) |
| 64-71 | 7Fh, 7Fh, 7Fh, 7Fh, B0h | OCZ | |
| Part Number модуля | 73-90 | - | OCZ2T8001G |
| Дата изготовления модуля | 93-94 | 06h, 26h | 2006 год, 38 неделя |
| Серийный номер модуля | 95-98 | 00h, 00h, 00h, 00h | Не определено |
По данным SPD, поддерживаемые значения задержки сигнала CAS# составляют 5, 4 и 3. Первому значению (CL X = 5) соответствует период синхросигнала 2.5 нс (частота 400 МГц), т.е. режим DDR2-800. Схема таймингов для этого случая не полностью представляется целыми значениями и может быть записана в виде 5-5-5-14.8, что с учетом наиболее вероятного округления в большую сторону соответствует стандартной схеме 5-5-5-15. Уменьшенной величине задержки CAS# (CL X-1 = 4) соответствует режим DDR2-667 (время цикла 3.0 нс, частота 333.3 МГц) с нецелой схемой таймингов 4-4.17-4.17-12.33, которую с учетом округления можно записать в виде 4-5-5-13. Наконец, дважды уменьшенной величине задержки CAS# (CL X-2 = 3) соответствует несколько ошибочная, но распространенная запись режима DDR2-533 со временем цикла 3.7 нс (частота 270.3 МГц) вместо номинального значения 3.75 нс (частота 266.7 МГц). Схема таймингов для этого случая - 3-3.37-3.37-10, с учетом округления - 3-4-4-10.
Идентификационный код производителя, дата изготовления и Part Number модуля указаны верно, в то время как информация о серийном номере модуля отсутствует. К тому же, несколько настораживает странное значение ревизии SPD 23h, формально соответствующее несуществующему номеру ревизии стандарта «2.3».
Поскольку данные модули поддерживают расширение EPP, рассмотрим теперь информацию, содержащуюся в этой «нестандартной» части SPD, представленной байтами 99-127 содержимого SPD.
| Параметр | Байт(ы) (биты) | Значение | Расшифровка |
|---|---|---|---|
| Строка идентификации EPP | 99-101 | 4E566Dh | Есть поддержка SPD EPP |
| Тип профилей EPP | 102 | A1h | Сокращенные профили |
| 103 (1:0) | 00h | Профиль 0 | |
| Используемые профили | 103 (7:4) | 01h | Профиль 0: присутствует Профиль 1: отсутствует Профиль 2: отсутствует Профиль 3: отсутствует |
| Профиль №0 | |||
| Уровень питающего напряжения | 104 (6:0) | 08h | 2.0 V |
| Задержка передачи адреса (Addr CMD rate) | 104 (7) | 00h | 1T |
| Время цикла (t CK) | 105 | 25h | 2.50 нс (400.0 МГц) |
| Задержка CAS# (t CL) | 106 | 10h | 4 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t RCD) | 107 | 28h | 10.0 нс (4.0) |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (t RP) | 108 | 28h | 10.0 нс (4.0) |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t RAS) | 109 | 25h | 37.0 нс (14.8) |
Информация EPP представлена в виде сокращенных профилей, максимально возможное количество которых - 4, тогда как реально присутствуют данные лишь о первом из этих профилей (профиль №0), который, естественно, отмечен как «оптимальный». Информация, содержащаяся в этом сокращенном профиле, весьма немногочисленна и полностью представлена в приведенной выше таблице. Это данные о питающем напряжении модулей - 2.0 V, величине задержек командного интерфейса (1T), времени цикла (2.5 нс, частота шины памяти 400 МГц, режим DDR2-800) и стандартных таймингах (4-4-4-14.8, с учетом округления 4-4-4-15). Дополнительные параметры тонкой настройки временных и электрических характеристик функционирования подсистемы памяти в содержимом «сокращенного» профиля EPP отсутствуют, что, на наш взгляд, ставит под сомнение его основные преимущества. Вероятно, производитель модулей просто не уделил должного внимания тонкой настройке этих характеристик. К чему это привело, мы увидим дальше, в ходе нашего исследования модулей, а пока перейдем к рассмотрению SPD следующего представителя.
OCZ DDR2 PC2-7200
| Параметр | Байт | Значение | Расшифровка |
|---|---|---|---|
| Фундаментальный тип памяти | 2 | 08h | DDR2 SDRAM |
| Общее количество адресных линий строки модуля | 3 | 0Eh | 14 (RA0-RA13) |
| Общее количество адресных линий столбца модуля | 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) |
| Общее количество физических банков модуля памяти | 5 | 61h | 2 физических банка |
| Внешняя шина данных модуля памяти | 6 | 40h | 64 бит |
| Уровень питающего напряжения | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при максимальной задержке CAS# (CL X) | 9 | 25h | 2.50 нс (400.0 МГц) |
| Тип конфигурации модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
| Тип и способ регенерации данных | 12 | 82h | 7.8125 мс - 0.5x сокращенная саморегенерация |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти | 13 | 08h | x8 |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля | 14 | 00h | Не определено |
| Длительность передаваемых пакетов (BL) | 16 | 0Ch | BL = 4, 8 |
| Количество логических банков каждой микросхемы в модуле | 17 | 04h | 4 |
| Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) | 18 | 38h | CL = 5, 4, 3 |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) | 23 | 3Dh | 3.75 нс (266.7 МГц) |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) | 25 | 00h | Не определено |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (t RP) | 27 | 32h | 12.5 нс 5.00, CL = 5 3.33, CL = 4 Не определено, CL = 3 |
| Минимальная задержка между активизацией соседних строк (t RRD) | 28 | 1Eh | 7.5 нс 3.00, CL = 5 2.00, CL = 4 Не определено, CL = 3 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t RCD) | 29 | 32h | 12.5 нс 5.00, CL = 5 3.33, CL = 4 Не определено, CL = 3 |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t RAS) | 30 | 25h | 37.0 нс 14.80, CL = 5 9.87, CL = 4 Не определено, CL = 3 |
| Емкость одного физического банка модуля памяти | 31 | 80h | 512 МБ |
| Период восстановления после записи (t WR) | 36 | 3Ch | 15.0 нс 6.00, CL = 5 4.00, CL = 4 Не определено, CL = 3 |
| Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (t WTR) | 37 | 1Eh | 7.5 нс 3.00, CL = 5 2.00, CL = 4 Не определено, CL = 3 |
| Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (t RTP) | 38 | 1Eh | 7.5 нс 3.00, CL = 5 2.00, CL = 4 Не определено, CL = 3 |
| Минимальное время цикла строки (t RC) | 41, 40 | 37h, 00h | 55.0 нс 22.00, CL = 5 14.86, CL = 4 Не определено, CL = 3 |
| Период между командами саморегенерации (t RFC) | 42, 40 | 69h, 00h | 105.0 нс 42.00, CL = 5 28.38, CL = 4 Не определено, CL = 3 |
| Максимальная длительность периода синхросигнала (t CK max) | 43 | 80h | 8.0 нс |
| Номер ревизии SPD | 62 | 12h | Ревизия 1.2 |
| Контрольная сумма байт 0-62 | 63 | 2Ah | 42 (верно) |
| Идентификационный код производителя по JEDEC | 64-71 | 7Fh, 7Fh, 7Fh, 7Fh, B0h | OCZ |
| Part Number модуля | 73-90 | - | OCZ2N900SR1G |
| Дата изготовления модуля | 93-94 | 00h, 00h | Не определено |
| Серийный номер модуля | 95-98 | 00h, 00h, 00h, 00h | Не определено |
Поддерживаемые значения задержки сигнала CAS# - 5, 4 и 3, однако значения периодов синхросигнала указаны лишь для первых двух значений: основного (CL X = 5) и уменьшенного (CL X-1 = 4). Первому значению (CL X = 5) соответствует период синхросигнала 2.5 нс (частота 400 МГц), т.е. режим DDR2-800. Схема таймингов для этого случая может быть записана в виде нецелых значений 5-5-5-14.8, с учетом наиболее вероятного округления в большую сторону - 5-5-5-15. Второму значению (CL X-1 = 4) соответствует несколько устаревший режим DDR2-533 (время цикла 3.75 нс, частота 266.7 МГц) с нецелой схемой таймингов 4-3.33-3.33-9.87, которую с учетом округления можно записать в виде 4-4-4-10. Как мы уже отмечали выше, дважды уменьшенной величине задержки CAS# (CL X-2 = 3) не соответствует какой-либо осмысленный режим функционирования модулей, что определенно является ошибкой.
Идентификационный код производителя и Part Number модуля указаны верно, однако информация о дате изготовления и серийном номере модулей отсутствует. Данные модули также поддерживают расширения EPP, поэтому рассмотрим ниже информацию, содержащуюся в этой части SPD.
| Параметр | Байт(ы) (биты) | Значение | Расшифровка |
|---|---|---|---|
| Строка идентификации EPP | 99-101 | 4E566Dh | Есть поддержка SPD EPP |
| Тип профилей EPP | 102 | B1h | Расширенные профили |
| Профиль оптимальной производительности | 103 (1:0) | 01h | Профиль 1 |
| Используемые профили | 103 (7:4) | 03h | Профиль 0: присутствует Профиль 1: присутствует |
| Профиль №0 | |||
| Уровень питающего напряжения | 104 (6:0) | 14h | 2.3 V |
| Задержка передачи адреса (Addr CMD rate) | 104 (7) | 01h | 2T |
| Время цикла (t CK) | 109 | 22h | 2.20 нс (454.5 МГц) |
| Задержка CAS# (t CL) | 110 | 10h | 4 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t RCD) | 111 | 23h | 8.75 нс (3.98) |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (t RP) | 112 | 19h | 6.25 нс (2.84) |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t RAS) | 113 | 21h | 33.0 нс (15.00) |
| Период восстановления после записи (t WR) | 114 | 28h | 10.0 нс (4.55) |
| Минимальное время цикла строки (t RC) | 115 | 32h | 50.0 нс (22.73) |
| Профиль №1 | |||
| Уровень питающего напряжения | 116 (6:0) | 14h | 2.3 V |
| Задержка передачи адреса (Addr CMD rate) | 117 (7) | 01h | 2T |
| Время цикла (t CK) | 121 | 22h | 2.20 нс (454.5 МГц) |
| Задержка CAS# (t CL) | 122 | 10h | 4 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t RCD) | 123 | 21h | 8.25 нс (3.75) |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (t RP) | 124 | 19h | 6.25 нс (2.84) |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t RAS) | 125 | 1Fh | 31.00 нс (14.09) |
| Период восстановления после записи (t WR) | 126 | 30h | 12.00 нс (5.45) |
| Минимальное время цикла строки (t RC) | 127 | 2Ch | 44.00 нс (20.00) |
Содержимое EPP выглядит весьма интересным. В отличие от рассмотренных выше модулей OCZ DDR2 PC2-6400 с «сокращенными» профилями EPP, рассматриваемые модули OCZ DDR2 PC2-7200 содержат в своей части EPP информацию о двух «расширенных» профилях (№0 и №1), оба из которых являются действительными, но соответствуют... примерно одному и тому же режиму функционирования(!), не считая незначительных различий. А именно, в обоих профилях рабочим режимом модулей является режим «DDR2-900» (частота - примерно 454.5 МГц, время цикла 2.2 нс) с питающим напряжением 2.3 V (что соответствует спецификациям производителя) и величиной задержек командного интерфейса 2T. Несколько различаются лишь схемы основных таймингов памяти, которые в первом случае можно представить в виде 4-3.98-2.84-15 (4-4-3-15 при округлении в большую сторону), а во втором - как 4-3.75-2.84-14.09. При округлении этих значений также получается схема 4-4-3-15 (совпадающая с заявленной производителем), однако профили EPP также несколько различаются по значениям «прочих» таймингов вроде t WR и t RC . Как бы там ни было, «оптимальным» профилем выбран профиль №1.
Содержимое SPD рассматриваемых модулей OCZ DDR2 PC2-7200 (включая расширения EPP) явно отличается от содержимого SPD (и EPP) рассмотренных выше модулей OCZ DDR2 PC2-6400. Так или иначе, в обоих случаях наблюдаются неточности, а то и явные ошибки. Таким образом, подход компании OCZ к программированию данных SPD оказывается весьма своеобразным, если не сказать - весьма небрежным. Напоследок, рассмотрим содержимое SPD последнего представителя - модулей OCZ DDR2 PC2-8000, которое представлено лишь «стандартной» частью ввиду отсутствия поддержки расширений EPP.
OCZ DDR2 PC2-8000
| Параметр | Байт | Значение | Расшифровка |
|---|---|---|---|
| Фундаментальный тип памяти | 2 | 08h | DDR2 SDRAM |
| Общее количество адресных линий строки модуля | 3 | 0Eh | 14 (RA0-RA13) |
| Общее количество адресных линий столбца модуля | 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) |
| Общее количество физических банков модуля памяти | 5 | 61h | 2 физических банка |
| Внешняя шина данных модуля памяти | 6 | 40h | 64 бит |
| Уровень питающего напряжения | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при максимальной задержке CAS# (CL X) | 9 | 25h | 2.50 нс (400.0 МГц) |
| Тип конфигурации модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
| Тип и способ регенерации данных | 12 | 82h | 7.8125 мс - 0.5x сокращенная саморегенерация |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти | 13 | 08h | x8 |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля | 14 | 00h | Не определено |
| Длительность передаваемых пакетов (BL) | 16 | 0Ch | BL = 4, 8 |
| Количество логических банков каждой микросхемы в модуле | 17 | 04h | 4 |
| Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) | 18 | 38h | CL = 5, 4, 3 |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) | 23 | 30h | 3.00 нс (333.3 МГц) |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) | 25 | 37h | 3.70 нс (270.3 МГц) |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (t RP) | 27 | 32h | 12.5 нс 5.00, CL = 5 4.17, CL = 4 3.37, CL = 3 |
| Минимальная задержка между активизацией соседних строк (t RRD) | 28 | 28h | 10.0 нс 4.00, CL = 5 3.33, CL = 4 2.70, CL = 3 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t RCD) | 29 | 32h | 12.5 нс 5.00, CL = 5 4.17, CL = 4 3.37, CL = 3 |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t RAS) | 30 | 25h | 37.0 нс 14.80, CL = 5 12.33, CL = 4 10.00, CL = 3 |
| Емкость одного физического банка модуля памяти | 31 | 80h | 512 МБ |
| Период восстановления после записи (t WR) | 36 | 3Ch | 15.0 нс 6.00, CL = 5 5.00, CL = 4 4.05, CL = 3 |
| Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (t WTR) | 37 | 1Eh | 7.5 нс 3.00, CL = 5 2.50, CL = 4 2.02, CL = 3 |
| Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (t RTP) | 38 | 1Eh | 7.5 нс 3.00, CL = 5 2.50, CL = 4 2.02, CL = 3 |
| Минимальное время цикла строки (t RC) | 41, 40 | 36h, 00h | 54.0 нс 21.60, CL = 5 18.00, CL = 4 14.59, CL = 3 |
| Период между командами саморегенерации (t RFC) | 42, 40 | 69h, 00h | 105.0 нс 42.00, CL = 5 35.00, CL = 4 28.38, CL = 3 |
| Максимальная длительность периода синхросигнала (t CK max) | 43 | 80h | 8.0 нс |
| Номер ревизии SPD | 62 | 12h | Ревизия 1.2 |
| Контрольная сумма байт 0-62 | 63 | DAh | 218 (верно) |
| Идентификационный код производителя по JEDEC | 64-71 | 7Fh, 7Fh, 7Fh, 7Fh, B0h | OCZ |
| Part Number модуля | 73-90 | - | OCZ2TA1000VX21G |
| Дата изготовления модуля | 93-94 | 00h, 00h | Не определено |
| Серийный номер модуля | 95-98 | 00h, 00h, 00h, 00h | Не определено |
Содержимое SPD этих модулей примерно совпадает с таковым для первого из изучаемых образцов - модулей OCZ DDR2 PC2-6400. Поддерживаемые значения задержки сигнала CAS# составляют 5, 4 и 3. Первому значению (CL X = 5) соответствует период синхросигнала 2.5 нс (частота 400 МГц), т.е. режим DDR2-800. Схема таймингов для этого случая записывается в виде 5-5-5-14.8 (5-5-5-15). Уменьшенной величине задержки CAS# (CL X-1 = 4) соответствует режим DDR2-667 (время цикла 3.0 нс, частота 333.3 МГц) со схемой таймингов 4-4.17-4.17-12.33 (4-5-5-13). Наконец, дважды уменьшенной величине задержки CAS# (CL X-2 = 3) соответствует несколько ошибочная, но распространенная запись режима DDR2-533 со временем цикла 3.7 нс (частота 270.3 МГц). Схема таймингов для этого случая - 3-3.37-3.37-10.0 (3-4-4-10).
Идентификационный код производителя и Part Number модуля указаны верно; данные о дате изготовления и серийном номере модуля отсутствует.Конфигурация тестового стенда
Стенд №1
- Процессор: AMD Athlon 64 X2 4800+ (Socket AM2), номинальная частота 2.4 ГГц (200 x12)
- Чипсет: NVIDIA nForce 590 SLI
- Материнская плата: ASUS CROSSHAIR, версия BIOS 0502 от 01/02/2007
Испытание модулей OCZ проводилось на платформе AMD (процессор Athlon 64 X2 4800+) с материнской платой ASUS CROSSHAIR (), поддерживающей стандарт EPP. Во всех случаях, испытания модулей проводились в двух режимах:
1. Номинальный: штатная частота процессора, частота памяти 400 МГц (DDR2-800), стандартная настройка подсистемы памяти по данным SPD, информация профилей EPP не используется.
2. Оптимальный, соответствующий использованию «оптимального» профиля EPP, допускающий разгон процессора (до 15%) для достижения максимальной рекомендованной частоты памяти. Для модулей OCZ DDR2 PC2-8000, не поддерживающих EPP, настройка частоты процессора и памяти в этом случае проводилась вручную.
OCZ DDR2 PC2-6400
| Параметр | ||
|---|---|---|
| Частота процессора, МГц (частота FSB x FID) | 2400 (200x12) | 2400 (200x12) |
| Частота памяти, МГц (DDR2 МГц) | 400 (800) | 400 (800) |
| 5-5-5-15-2T, 1.8 V | 4-4-4-15-1T, 2.0 - 2.3 V |
|
| 4-4-3-2T, 2.2 V | - | |
| Средняя ПСП на чтение (ГБ/с), 1 ядро | 3.94 (4.06) | - |
| Средняя ПСП на запись (ГБ/с), 1 ядро | 3.27 (3.10) | - |
| Макс. ПСП на чтение (ГБ/с), 1 ядро | 7.84 (7.99) | - |
| Макс. ПСП на запись (ГБ/с), 1 ядро | 6.94 (6.93) | - |
| Средняя ПСП на чтение (ГБ/с), 2 ядра | 6.65 (6.98) | - |
| Средняя ПСП на запись (ГБ/с), 2 ядра | 3.96 (4.05) | - |
| Макс. ПСП на чтение (ГБ/с), 2 ядра | 8.65 (9.33) | - |
| Макс. ПСП на запись (ГБ/с), 2 ядра | 6.46 (6.61) | - |
| 28.1 (26.7) | - | |
| 80.7 (78.4) | - | |
* размер блока 32 МБ
Начнем с рассмотрения результатов тестирования модулей памяти OCZ DDR2 PC2-6400, для которых производителем заявлено функционирование в режиме DDR2-800 с таймингами 4-4-4-15 и, что самое важное, задержками командного интерфейса 1T. Стандартные тайминги для этих модулей, как видно из представленной выше таблицы, выставляемые BIOS материнской платы по умолчанию, составляют 5-5-5-15-2T, а их скоростные показатели находятся на уровне, типичном для DDR2-800 при данной частоте процессора (2.4 ГГц). Поднятие питающего напряжения до 2.2 V позволяет снизить схему таймингов до 4-4-3 (как и подавляющее большинство остальных модулей DDR2, рассматриваемые модули не чувствительны к изменению последнего стандартного параметра схемы таймингов t RAS), однако величина задержек командного интерфейса по-прежнему должна оставаться на уровне 2T. Попытки использования более жесткой схемы таймингов 4-3-3-2T, а также режима 1T при любых значениях таймингов приводили к возникновению ошибок подсистемы памяти.
Таким образом, рассматриваемые модули OCZ DDR2 PC2-6400, рассчитанные на функционирование в режиме DDR2-800 4-4-4-15-1T, оказались неспособны на работу в таком режиме. Не спасло положение и использование данных профиля EPP (не удивительно, ведь содержимое EPP в данных модулях представлено лишь одним «сокращенным» профилем, не позволяющим настроить дополнительные тонкие параметры временного и электрического характера), даже при попытке поднятия питающего напряжения вплоть до 2.3 V.
OCZ DDR2 PC2-7200
| Параметр | ||
|---|---|---|
| Частота процессора, МГц (частота FSB x FID) | 2400 (200x12) | 2736 (228x12) |
| Частота памяти, МГц (DDR2 МГц) | 400 (800) | 456 (912) |
| Тайминги памяти по умолчанию, напряжение | 5-5-5-15-2T, 1.8 V | 4-4-3-15-2T, 2.2 V |
| Минимальные тайминги памяти, напряжение | 4-3-3-1T, 2.3 V | - |
| Средняя ПСП на чтение (ГБ/с), 1 ядро | 3.94 (4.12) | 4.56 |
| Средняя ПСП на запись (ГБ/с), 1 ядро | 3.30 (3.42) | 3.84 |
| Макс. ПСП на чтение (ГБ/с), 1 ядро | 7.83 (8.13) | 9.04 |
| Макс. ПСП на запись (ГБ/с), 1 ядро | 6.94 (6.79) | 7.88 |
| Средняя ПСП на чтение (ГБ/с), 2 ядра | 6.65 (7.14) | 7.79 |
| Средняя ПСП на запись (ГБ/с), 2 ядра | 3.93 (4.51) | 4.82 |
| Макс. ПСП на чтение (ГБ/с), 2 ядра | 8.69 (9.82) | 10.26 |
| Макс. ПСП на запись (ГБ/с), 2 ядра | 6.46 (6.69) | 7.52 |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа (нс) | 28.1 (25.7) | 23.9 |
| Минимальная латентность случайного доступа * (нс) | 80.2 (78.3) | 67.9 |
* размер блока 32 МБ
При запуске модулей OCZ DDR2 PC2-7200 в штатном режиме DDR2-800 принимающая участие в наших тестах материнская плата ASUS CROSSHAIR, как и в предыдущем случае, также выставляет схему таймингов 5-5-5-15-2T. Скоростные показатели модулей PC2-7200 в этом режиме близки к скоростным показателям модулей PC2-6400, рассмотренным выше. Наиболее интересно то, что при поднятии питающего напряжения модулей (до 2.3 V) они позволяют достичь схему таймингов 4-4-3 при величине задержек командного интерфейса 1T, чем резко отличаются от рассмотренных выше модулей PC2-6400, для которых режим 1T заявлен официально(!). Более того, в нашем случае оказалось возможным запустить рассматриваемые модули и при схеме таймингов 3-3-3-1T, однако это приводило к возникновению ошибок.
Применение «оптимального» профиля EPP привело к выставлению частоты «системной шины» процессора 228 МГц, что соответствует частоте шины памяти 228x2 = 456 МГц (режим «DDR2-912», несколько завышен по сравнению с номинальным «DDR2-900») при частоте процессора примерно 2.74 ГГц (для стабильности, напряжение на ядре процессора было вручную поднято до уровня 1.5 V). Применяемая схема таймингов при этом составила значения 4-4-3-15-2T, соответствующие с заявленными производителем. Рассматриваемые модули памяти оказались работоспособными в таком режиме, однако дальнейшее уменьшение таймингов (не считая игнорируемого параметра t RAS), а также снижение задержек командного интерфейса до 1T приводило к неработоспособности подсистемы памяти.
OCZ DDR2 PC2-8000
| Параметр | ||
|---|---|---|
| Частота процессора, МГц (частота FSB x FID) | 2400 (200x12) | 2500 (250x10) |
| Частота памяти, МГц (DDR2 МГц) | 400 (800) | 500 (1000) |
| Тайминги памяти по умолчанию, напряжение | 5-5-5-15-2T, 1.8 V | 5-5-5-15-2T, 2.3 V |
| Минимальные тайминги памяти, напряжение | 4-3-3-1T, 2.3 V | 4-4-4-2T, 2.3 V |
| Средняя ПСП на чтение (ГБ/с), 1 ядро | 3.90 (4.13) | 4.35 (4.48) |
| Средняя ПСП на запись (ГБ/с), 1 ядро | 3.28 (3.33) | 3.61 (3.75) |
| Макс. ПСП на чтение (ГБ/с), 1 ядро | 7.79 (8.13) | 8.40 (8.50) |
| Макс. ПСП на запись (ГБ/с), 1 ядро | 6.94 (6.79) | 7.19 (7.21) |
| Средняя ПСП на чтение (ГБ/с), 2 ядра | 6.60 (7.14) | 7.52 (7.79) |
| Средняя ПСП на запись (ГБ/с), 2 ядра | 4.08 (4.46) | 4.70 (5.11) |
| Макс. ПСП на чтение (ГБ/с), 2 ядра | 8.61 (9.82) | 10.37 (11.01) |
| Макс. ПСП на запись (ГБ/с), 2 ядра | 6.48 (6.70) | 6.92 (7.04) |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 28.6 (25.7) | 24.5 (23.2) |
| Минимальная латентность случайного доступа * , нс | 80.6 (78.4) | 72.1 (67.8) |
* размер блока 32 МБ
При эксплуатации последних из рассматриваемых нами модулей OCZ DDR2 PC2-8000 в официальном режиме DDR2-800 на материнской плате ASUS CROSSHAIR по умолчанию также выбирается схема таймингов 5-5-5-15-2T. Как и в случае модулей PC2-7200 (но не PC2-6400), увеличение питающего напряжения модулей до 2.3 V позволяет снизить эту схему до значений 4-3-3 (дальнейшее снижение до 3-3-3 приводит к возникновению ошибок), а величину задержек командного интерфейса - до 1T. Скоростные показатели модулей PC2-8000 и PC2-7200 в данном случае практически совпадают.
Поскольку модули OCZ DDR2 PC2-8000 не поддерживают расширения EPP, режим «DDR2-1000» был установлен вручную за счет увеличения частоты «системной шины» до 250 МГц для достижения частоты шины памяти 500 МГц при частоте процессора 2.5 ГГц (250x10). Минимальная схема таймингов, которую удалось достичь в этих условиях, составила 4-4-4-2T при питающем напряжении модулей 2.3 V, что совпадает со значениями, заявленными производителем (попытка выставления более низких значений практически моментально приводила к неработоспособности системы).Итоги
Протестированные представители модулей памяти высокоскоростных серий от OCZ - PC2-6400, PC2-7200 и PC2-8000 произвели достаточно неоднозначные впечатления. Наименее приятные из них заключаются в достаточно небрежном подходе производителя к программированию содержимого SPD (в частности, расширений EPP), что может напрямую сказываться на совместимости модулей памяти с различными материнскими платами. Более того, первый из рассматриваемых представителей - модули памяти PC2-6400 - оказались неработоспособными в штатном режиме при величине задержек командного интерфейса 1T, официально заявленной производителем (по крайней мере, на используемой нами материнской плате ASUS CROSSHAIR). Из приятных моментов можно отметить работоспособность двух остальных представителей - модулей серии PC2-7200 SLI-Ready Edition и PC2-8000 Titanium Alpha VX2 в штатном режиме DDR2-800 при достаточно «экстремальной» схеме таймингов 4-3-3 и величине задержек командного интерфейса 1T, что далеко не типично для большинства 2-ГБ двухканальных комплектов модулей памяти на платформе AMD «AM2». В то же время, в «неофициальных» режимах («DDR2-900» и «DDR2-1000», соответственно) модули этих серий, по-видимому, оказываются разогнанными до предела, поскольку дальнейшее уменьшение схемы таймингов, а также снижение задержек командного интерфейса до 1T не представляется возможным. Однако само по себе устойчивое функционирование модулей PC2-7200 и PC2-8000 в максимально скоростных режимах, учитывая возникшую ситуацию с модулями PC2-6400, уже можно считать плюсом этих серий продукции компании OCZ.
Заметили ошибку? Выделите фрагмент текста и нажмите CTRL+ENTER!
"Компания OCZ Technology Group была создана энтузиастами и для энтузиастов ", - такими словами встречает нас официальный сайт производителя. Комплект памяти, попавший в нашу тестовую лабораторию, служит "типичным" примером этой концепции. Но назвать продукцию OCZ, будь то самая недорогая оперативная память или топовый блок питания, "типичной" будет большим заблуждением. Любое изделие с логотипом "OCZ" наверняка окажется незаурядным как в плане дизайна, так и в плане технических характеристик (ну и, конечно, цена его будет заметно выбиваться из обычных рамок;)).
Теперь (если вы еще не были знакомы с этим брендом), когда у вас сформировалось первое впечатление, пора приступать к самому объекту повествования.
Данный набор PC2-8500 находится в середине целой линейки памяти OCZ Blade Series. Серия включает как более медленные наборы (PC-6400 или DDR2-800), так и более быстрые (PC-9600 или DDR2-1200), а также модули, работающие на пониженном напряжении питания. Испытуемый набор предназначен для "умеренных энтузиастов", если так можно выразиться, поскольку еще соответствует верхней стандартной планке частоты для памяти DDR2 согласно рекомендациям JEDEC. Напомним, Joint Electronic Device Engineering Council (JEDEC) - Объединенный инженерный совет по электронным устройствам США. Да и общая емкость составляет 4 GB, что уже стало разумной величиной для современного производительного компьютера.
Встречаем по одежке: дизайн и упаковка
Поставка всех комплектов OCZ Blade осуществляется в пластиковых блистерах, позволяющих без труда рассмотреть модули. Здесь мы упомянем о нескольких признаках оригинальных комплектов OCZ, дабы вы могли на самом первом этапе выбора памяти удостовериться в том, что не имеете дела с подделкой.
Первый признак - это качественная полиграфия на упаковке.
Второй признак - информационный стикер, наклеенный на каждый модуль, на котором легко заметны голографические эмблемы "OCZ", причем даже через пластик бокса.
Третий признак - наличие защитной пленки на логотипе на радиаторе модуля. Эти три черты позволят убедиться наверняка в подлинной принадлежности продукта бренду OCZ.
Планки памяти выполнены на черном текстолите (встречаются еще на зеленом) и "одеты" в такие же черные кожухи радиатора. Конструкция теплорассеивателей разборная, на двух винтах.
Материал, из которого сделаны радиаторы, вполне стандартен - это сплав алюминия. А вот сама конструкция высоковата, так что на системных платах с близким расположением слотов памяти к процессорному сокету могут возникнуть проблемы с установкой некоторых габаритных кулеров. Примерно наполовину высоты самого модуля вверх выходит "гребенка" радиатора. Необходимо отметить, что формы радиаторов у разных моделей памяти даже внутри линейки Blade отличаются, но в целом принадлежность к одной серии легко прослеживается.
На каждом модуле находится по 16 микросхем DRAM, что также вполне обычное явление для 2 GB планок.
Провожаем по уму: характеристики и разгонный потенциал
Маркировка, содержащаяся на стикерах модулей - OCZ2D1066LV4GK - нами была расшифрована (сразу оговоримся, официальный сайт производителя не предоставляет информации на этот счет) следующим образом:
- OCZ - производитель памяти;
- 2D - двухстороннее размещение микросхем памяти на модуле;
- 1066 - эффективная частота, МГц;
- LV - Low Voltage, пониженное напряжение питания (на самом деле данный набор не должен относиться к этой категории, но ниже будут приведены доказательства нашему предположению);
- 4GK - 4 Gigabyte Kit, набор с общей емкостью 4 GB.
А вот информационная утилита CPU-Z говорит, что в микросхеме SPD памяти вместо стандартного значения PC-8500 (1066 МГц DDR) содержится нестандартный профиль PC-8900 (1110 МГц DDR).
Здесь содержится первое подтверждение принадлежности тестируемого набора OCZ к категории энергоэффективной памяти: рекомендуемое напряжение питания даже для самого скоростного режима PC-8900 с таймингами 5-5-5-18 составляет всего 1.8 В. Такое мы видим впервые. И тут обнаруживается несоответствие этой информации с данными на стикерах модулей, которые сообщают, что при более низкой скорости PC-8500 и тех же таймингах 5-5-5-18 питающее напряжение должно составлять 2.2 В.
Забегая вперед, скажем, что сведения, содержащиеся в SPD, были подтверждены на практике в ходе измерения разгонного потенциала. Память OCZ легко заработала на соответствующей частоте с указанными таймингами и напряжением питания.
Методика тестирования памяти уже устоялась, и у нас накоплена некоторая база данных по разгонному потенциалу различной оперативной памяти стандарта DDR2.
Было выбрано несколько сочетаний значений таймингов и питающего напряжения, чтобы всесторонне очертить потенциал рассматриваемых модулей. Итак, разгон осуществлялся со следующими настройками:
- основные тайминги 5-5-5-18 (CL-RCD-RP-RAS);
- 6-7-7-25 (CL-RCD-RP-RAS;
- 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS).
Каждый набор таймингов сочетался с двумя значениями питающего напряжения - 1.8 В. и относительно безопасных 2.2 В. Значение тайминга, сильно влияющего на производительность подсистемы памяти, Command Rate - 2T.
Для проверки стабильности в разогнанном состоянии использовалась утилита Prime95 v.25.11:
Как показывает практика, модули памяти разных производителей, даже с идентичными паспортными характеристиками очень по-разному ведут себя в разгоне. Одни очень чутко реагируют на повышение питающего напряжения, другие - нет, третьи позволяют сильно поднять частоту, лишь на один шаг "ослабив" тайминги, ну и так далее… Поэтому все выбранные для сегодняшнего сравнения соперники OCZ Blade соответствуют ей как по скорости работы, так и по совокупному объему. Встречаем:
1) Elixir M2Y2G64TU8HD5B-BD:
Самый дешевый комплект из всех участников, он даже не оснащен радиаторами. Более подробно с ним можно познакомиться из статьи " ".
2) GOODRAM PRO GP1066D264L5/4GDC:
До сих пор этот набор являлся лидером по совокупности своих разгонных характеристик. также недавно был опубликован на нашем портале.
Ниже приведены их основные характеристики.
|
Модель |
OCZ Blade Series OCZ2D1066LV4GK |
Elixir M2Y2G64TU8HD5B-BD |
GOODRAM PRO GP1066D264L5/4GDC |
|
Производитель |
OCZ Technology |
Nanya Technology |
Wilk Elektronik S.A. |
|
Набор 2x2 GB |
2 планки по 2 GB |
набор 2x2 GB |
|
|
PC2-8500 (DDR2 1066) |
PC2-8500 (DDR2 1066) |
PC2-8500 (DDR2 1066) |
|
|
Напряжение питания |
|||
|
Поддержка ECC/Buffered* |
|||
|
Особенности |
Разборный алюминиевый радиатор |
Алюминиевый радиатор |
|
|
Средняя розничная стоимость |
$100-125 |
||
Выбор высокопроизводительной памяти для настольного компьютера, дело достаточно кропотливое и ответственное, что связано в первую очередь с необходимостью обеспечения максимальной стабильности при работе на высокой частоте, особенно при использовании внештатных режимов, где критичным является каждый элемент компьютера, в том числе и память. В секторе портативных компьютеров, данная проблема стоит не столь остро, однако активное развитие мобильных технологий, увеличения рабочей частоты и сокращения внутреннего пространства ноутбука, требует не менее тщательного подхода при выборе памяти, что особенно касается сборщиков ноутбуков, которые иногда, в целях экономии устанавливают дешевую безымянную память, объясняя, что при работе в штатном режиме ни чего не случиться, в чем, безусловно, правы, однако...
Мы, покупатели дорогостоящих ноутбуков, желаем, что бы наш мобильный помощник, не только позволил бы получить максимум производительности, но, и обеспечил максимальную стабильность в различных условиях использования.
Сегодня мы познакомим вас с памятью OCZ серии Value, в которую входят модули с оптимальным отношением цены и производительности. Несмотря на достаточно низкую, для OCZ цену, в этих модулях используется ряд специфических технологий, как например, ULN2 PCB, которая заметно снижет уровень электрического шума, что позитивно сказывается на стабильности работы, особенно в автономном режиме.
Итак, в нашем обзоре принимает участие три типа модулей памяти, предназначенные для использования в различных типах ноутбуков: от ультра портативных моделей на основе технологии Centrino, до высокопроизводительных моделей класса замена настольного ПК, на основе мобильных версий настольных решений и на основе современных технологий Sonoma и AMD Turion™ 64, в которых используется быстрая память DDR2-533 и DDR333/400 соответственно.
Прежде, чем мы приступим к изучению возможностей представленных модулей памяти, мы хотели бы сделать несколько замечаний, относительно возможностей настройки параметров памяти в ноутбуке. Практически во всех моделях ноутбуков в BIOS отсутствует возможность настраивать параметры памяти, что позволило бы воспользоваться всеми преимуществами более быстрых и качественных модулей OCZ. Поэтому, единственное преимущество, которое вы получите от использования памяти OCZ, - большая стабильность, меньшее выделение тепла, и соответственно увеличение времени автономной работы.
OCZ PC2 700 Value Series
Память стандарта DDR333 на сегодняшний день остается одной из самых популярных в секторе портативных компьютеров. Этот тип памяти будет особенно актуален при использовании в мейнстрим моделях ноутбуков, основанных на классической технологии Centrino, где до сих пор используется память стандарта DDR266, которая заметно ограничивает возможности современных высокопроизводительных процессоров Pentium-M. Для решения этой проблемы мы настоятельно рекомендуем использовать память OCZ PC2700 Value Series.
Модули памяти OCZ PC2700 Value Series основаны на чипах Infuneon с низкими таймингами (2.5-4-4-8), что позволило несколько увеличить производительность на ноутбуках, использующих данные SPD.
Кстати, результаты наших тестов показывают, что перевод платформы Centrino на память DDR333 обеспечивает заметный прирост производительности, который будет особенно заметен при использовании процессоров с частотой выше 2ГГц. Здесь может возникнуть вопрос, а почему бы не использовать сразу память DDR 400, - теоретически это позволит добиться еще большей производительности. К сожалению, классическая технология Centrino поддерживает только DDR333, поэтому DDR 400 будет бессмысленна.
OCZ PC 3200 Value Series
Память стандарта DDR 400 на сегодняшний день применяется в некоторых Hi - END ноутбуках, в основе которых лежат мобильные версии настольных чипсетов и процессоров, как например VIA K8T800 для процессора Mobile AMD Athlon™ 64, а так же в новых платформах AMD Turion™ 64. Представленные модули OCZ PC 3200 Value Series основаны на чипах Samsung с низкими таймингами 2.5-4-4-8
Сравнение производительности памяти OCZ PC 3200 Value Series с No-name модулями, продемонстрировали некоторое увеличение производительности в большинстве типов приложений, при использовании жестко заданных параметров синхронизации в BIOS. В случае, если ваш ноутбук позволяет использовать данные SPD, либо имеет возможность изменить параметры памяти, то вы получите еще несколько процентов при сохранении 100% стабильности.
По нашему мнению, использования памяти OCZ PC 3200 Value Series особенно актуально в ноутбуках класса «Замена настольного ПК», в которых используется мобильные версии настольных чипсетов и процессоров. Здесь вы сможете воспользоваться полным частотным потенциалом, предлагаемым модулями OCZ PC 3200 Value Series.
OCZ PC 2 4200 Value Series
И, наконец, новый для мобильного сектора, тип памяти DDR2 533. Он используется в составе новой мобильной технологии Intel Sonoma, где может работать как в одноканальном, так и в двух канальном режиме, что позволило заметно увеличить производительность по сравнению с классической технологией Centrino.
Для создания высокопроизводительной и стабильной мобильной платформы, OCZ предлагает использовать модули PC2 4200 Value Series. Данные модули памяти основаны на высокопроизводительных чипах Elpda, которые имеют тайминги 4-4-4-8, что позволяет сделать предположение о возможном увеличении производительности мобильной платформы.
Однако, учитывая специфические особенности BIOS, которая использует жестко заданные частотные параметры, воспользоваться этими преимуществами, пока не получиться, зато высокая стабильность и пониженное тепловыделение гарантированны, что позитивно скажется на времени автономной работы. Увеличение производительности будет заметно лишь в случае принудительного изменения с помощью специальных утилит, либо в будущих моделях ноутбуков, где будет возможность использовать полный потенциал, используемых модулей памяти. Хотя, как вы может видеть, в этом случае увеличение производительности практически не заметное, что так же обусловлено специфическими особенностями памяти DDR2.
Заключение
Как вы могли заметить, производительность памяти OCZ не значительно превосходит производительность других модулей, в том числе и No-name, что связано с использованием жестко заданных параметров синхронизации, ограничивающих возможности высокопроизводительных чипов памяти, а так же некоторых архитектурных особенностей современных ноутбуков (типа процессора и контроллера памяти). Однако, как мы уже сказали выше, производительность в мобильной платформе не самое главное, намного важнее, - стабильность в автономном режиме, которая напрямую зависит и от качества памяти, где OCZ является бесспорным лидером.
Благодарим компанию « Svega Computer », за предоставленные на тестирование модули памяти OCZ
Введение
Каждый уважающий себя производитель памяти старается создать такой продуктовый ряд, чтобы каждый покупатель мог найти нужные модули по своим потребностям и своему кошельку. Компания OCZ, известный производитель быстрой памяти для компьютеров, имеет в своём арсенале "золотые", "платиновые", "титановые" модули с высокой пропускной способностью и низкими таймингами. В этой статье мы кратко расскажем об особенностях каждой серии DDR II от компании OCZ, чтобы вам было легче выбирать её при покупке.
Серия Value DDR2
Модули памяти DDR2 серии Value предназначены для пользователей, которым нужна просто хорошая память и кто не готов платить лишние деньги за какие-то дополнительные функции. Сейчас OCZ продаёт только 533 МГц модули DDR2 PC4200 серии Value. Эти модули памяти имеют объёмы от 256 до 2048 Мб и продаются как по одной плашке, так и парами для материнских плат с двухканальными контроллерами DDR2. Чтобы вам легче было понять, что за память предлагают продавцы в своих прайс-листах, приведём номера модулей.
Part number
OCZ2533256V - модуль DDR2 объёмом 256 Мб
OCZ2533512V - модуль DDR2 объёмом 512 Мб
OCZ25331024V - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб
OCZ25332048V - модуль DDR2 объёмом 2048 Мб
OCZ2533512VDC-K - набор из двух модулей памяти объёмом 512 Мб (2x256 Мб) для двухканальных систем
OCZ25331024VDC-K - набор из двух модулей памяти объёмом 1024 Мб (2x512 Мб) для двухканальных систем
OCZ25332048VDC-K - набор из двух модулей памяти объёмом 2048 Мб (2x1024 Мб) для двухканальных систем
Модули памяти OCZ серии Value имеют тайминги 4-4-4-8 и полностью совместимы со стандартами JEDEC, то есть они должны работать с любыми материнскими платами под DDR2.
Серия Value Pro
Серия Value Pro отличается от самой простой Value тем, что эти модули уже рассчитаны на тех пользователей, кто попытается каким-то образом разогнать компьютер. Модули памяти Value Pro выпускаются в двух вариантах - с частотой 533 МГц (PC4200) и 667 МГц (PC5400).
Part number
OCZ2533512VP - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC4200 (533 МГц)
OCZ25331024VP - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC4200 (533 МГц)
OCZ25332048VP - модуль DDR2 объёмом 2048 Мб PC4200 (533 МГц)
OCZ25331024VPDC-K - 1024 мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)
OCZ25332048VPDC-K - 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)
OCZ25334096VPDC-K - 4096-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x2048 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)
OCZ2667512VP - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC5400 (667 МГц)
OCZ26671024VP - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC5400 (667 МГц)
OCZ26671024VPDC-K - 1024 мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)
OCZ26672048VPDC-K - 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)
Модули памяти Value Pro имеют медные распределители тепла, хотя работают на стандартных частотах и имеют обычные тайминги 4-4-4-8 для PC4200 и 5-5-5-10 для PC5400.
Серия Performance
Модули памяти серии Performance создавались для работы с более низкими значениями таймингов. Они имеют частоты 533 МГц (PC4200) и 667 МГц (PC5400). Визуально эти модули памяти отличаются от Value Pro зеркальным покрытием распределителей тепла.
Part number
OCZ2533256PF - модуль DDR2 объёмом 256 Мб PC4200 (533 МГц)
OCZ2533512PF - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC4200 (533 МГц)
OCZ2533512PFDC-K - 512 мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x256 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)
OCZ25331024PFDC-K- 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)
OCZ2667256PF - модуль DDR2 объёмом 256 Мб PC5400 (667 МГц)
OCZ2667512PF - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC5400 (667 МГц)
OCZ26671024PF - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC5400 (667 МГц)
OCZ2667512PFDC-K - 512 мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x256 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)
OCZ26671024PFDC-K- 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)
OCZ26672048PFDC-K- 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)
Модули памяти PC4200 при повышении напряжения до 1.9 В могут работать на таймингах 3-3-3-8, а модули PC5400 - на таймингах 4-4-4-8.
Серия Enchanced Latency Gold
Память "золотая", да ещё и с улучшенной латентностью явно рассчитана на взыскательного пользователя. OCZ предлагает три варианта модулей с частотами 533 МГц, 667 МГц и даже 800 МГц (PC6400). Эта память изначально работает с низкими таймингами и может выдержать повышение напряжения до 2.2 В. Медные радиаторы имеют золотистое покрытие.
Part number
OCZ2533512ELGE - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC4200 (533 МГц)
OCZ25331024ELGE - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC4200 (533 МГц)
OCZ25332048ELGE - модуль DDR2 объёмом 2048 Мб PC4200 (533 МГц)
OCZ25331024ELDCGE-K- 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)
OCZ25332048ELDCGE-K- 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)
OCZ25334096ELDCGE-K- 4096-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x2048 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)
OCZ2667512ELGE - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC5400 (667 МГц)
OCZ26671024ELGE - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC5400 (667 МГц)
OCZ26671024ELDCGE-K- 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)
OCZ26672048ELDCGE-K- 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)
OCZ2800512ELGE - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC6400 (800 МГц)
OCZ28001024ELGE - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC6400 (800 МГц)
OCZ28001024ELDCGE-K- 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC6400 (800 МГц)
OCZ28002048ELDCGE-K- 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC6400 (800 МГц)
Модули PC4200 имеют тайминги 3-3-3-8, PC5400 - 4-4-4-8, а PC6400 - 5-5-5-10.
Серия Platinum
Пожалуй, это самая многочисленная серия. В неё входят модули повышенной пропускной способности (enhanced bandwidth) модули с пониженными таймингами (enhanced latency). Первые имеют очень низкие задержки, а вторые - это модули с частотой 1000 МГц и так же пониженными таймингами. Модули enhanced latency работают на напряжении 2.0 В и выдерживают работу на напряжении 2.2 В. И те и другие модули имеют медные распределители тепла с платиновым зеркальным покрытием.
Part number
OCZ2533512EBPER2 - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC4200 (533 МГц)
OCZ25331024EBPER2 - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC4200 (533 МГц)
OCZ25331024EBDCPER2-K - 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)
OCZ25332048EBDCPER2-K - 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)
OCZ2667512EBPER2 - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC5400 (667 МГц)
OCZ26671024EBPER2 - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC5400 (667 МГц)
OCZ26671024EBDCPER2-K - 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)
OCZ26672048EBDCPER2-K - 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)
OCZ28001024EBPE - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC6400 (800 МГц)
OCZ28001024EBDCPE-K - 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC6400 (800 МГц)
Память OCZ Platinum enhanced bandwidth PC4200 имеет тайминги 3-2-2-8, PC5400 - 4-2-2-8, PC6400 - 4-3-3-8 (эта память работает на напряжении 2.1 В).
Память OCZ Platinum enhanced bandwidth PC8000 - это элита в мире оперативной памяти. Эти модули с питанием от напряжения 2.1-2.2 В способны работать на частоте 1000 МГц с таймингами 5-5-5-15.
Part number
OCZ21000512ELPE - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC8000 (1000 МГц)
OCZ210001024ELDCPE-K - 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC8000 (1024 МГц)
Это самый дорогой модуль памяти в серии OCZ.
Серия Titanium
Серия Titanium - это нечто среднее между серией Platinum и Gold. В этой серии всего два модуля - объёмами 512 и 1024 Мб с частотой 667 МГц (PC5400). Данная память при напряжении 2.2 В может работать на таймингах 4-2-2-8.
Part number
OCZ2667512EBTE - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC5400 (667 МГц)
OCZ26671024EBTE - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC5400 (667 МГц)
OCZ26671024EBDCTE-K - 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)
OCZ26672048EBDCTE-K - 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)
Модули памяти Titanium имеют медные распределители тепла с титановым покрытием.
Заключение
Все модули памяти OCZ тестируются перед тем, как поступить на прилавки, чтобы исключить попадание брака в компьютеры покупателей. Кроме того, на все модули OCZ компания-производитель даёт пожизненную гарантию.
Программы
